分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE

分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜 


分子束蒸发源SOURCE-1250特点简介：
分子束蒸发源，用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜 
开放式蒸发源，它的设计是为了尽量减少分子束 辐射时的气体排放 
安装法兰盘：ICF070·114等
温度控制：通过PID控制Max1250




分子束蒸发源SOURCE-1250规格：
(1) 坩埚容量：约10cc（唇边约15mm x 57mm）
(2) 坩埚材料PBN
(3) 加热器 高纯度Ta线盘绕
(4) 侧面反射器 5层 高纯度Ta
(5) 加热元件支撑底座 高纯度Mo
(6) 热电偶Pr13
(7) 加热元件的外部形状为φ35X50mm
(8) 工作温度范围300°C至1250°C
(9) 百叶窗的开/关由微型法兰盘旋转导入机完成（标准手动：空气驱动是可选的）
(10) 安装法兰114CF (4.5 "CF)
(11) 加热电源 1KW直流电源，有电流和电压限制
(12) 温度控制器：PID控制方式RT~1800°C，控制精度0.1°C
(13) 烘烤温度：250°C（拆除电缆和空气驱动装置后）






分子束蒸发源SOURCE-1250相关产品：
衡鹏供应
MBE-260_MBE装置
RHEED-1000_RHEED Unit
PLD-M_复合PLD设备