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分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE

2022-08-19
分子束蒸发源SOURCE-1250用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜 


分子束蒸发源SOURCE-1250特点简介:
分子束蒸发源,用于在超高真空中制备MBE生长的薄膜 
开放式蒸发源,它的设计是为了尽量减少分子束 辐射时的气体排放 
安装法兰盘:ICF070·114等
温度控制:通过PID控制Max1250




分子束蒸发源SOURCE-1250规格:
(1) 坩埚容量:约10cc(唇边约15mm x 57mm)
(2) 坩埚材料PBN
(3) 加热器 高纯度Ta线盘绕
(4) 侧面反射器 5层 高纯度Ta
(5) 加热元件支撑底座 高纯度Mo
(6) 热电偶Pr13
(7) 加热元件的外部形状为φ35X50mm
(8) 工作温度范围300°C至1250°C
(9) 百叶窗的开/关由微型法兰盘旋转导入机完成(标准手动:空气驱动是可选的)
(10) 安装法兰114CF (4.5 "CF)
(11) 加热电源 1KW直流电源,有电流和电压限制
(12) 温度控制器:PID控制方式RT~1800°C,控制精度0.1°C
(13) 烘烤温度:250°C(拆除电缆和空气驱动装置后)






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